全球半导体巨子英飞凌近期宣告，在碳化硅（SiC）技能范畴取得了重要打破，成功推出了第一批选用8英寸晶圆工艺制作的SiC产品。这一些产品将在奥地利的菲拉赫工厂出产，专为可再次出产的动力、火车及电动轿车等高压使用供给先进的SiC功率技能。

  这一效果标志着英飞凌在SiC技能的商业化使用上迈出了要害脚步，有望大幅度的进步相关范畴的动力功率和功能。尤其是在电动轿车范畴，英飞凌正不断拓宽其协作网络，以满意日渐增加的商场需求。

  与此同时，英飞凌的出产布局也迎来了重大进展。坐落马来西亚居林的制作基地正顺利完成从150毫米晶圆到200毫米晶圆的转化。新建成的Module 3厂房已准备就绪，将根据商场需求发动大规模出产。该厂房的完工与运作，是英飞凌在SiC范畴战略布局的重要一环。

  回忆2022年2月，英飞凌宣告出资超越20亿欧元在居林工厂制作第三厂区（Module 3厂）。现在，该厂区已正式投入运营，并计划在2025年开端量产SiC产品。初期将以6英寸晶圆出产为主，逐渐过渡到2027年的8英寸晶圆出产。英飞凌还泄漏，已获得了约50亿欧元的新规划订单及来自新客户和老客户的约10亿欧元预付款，用于厂房的继续扩建，部分订单来自6家闻名轿车OEM厂商。

  英飞凌着重，居林工厂与菲拉赫出产基地之间的协同开展，形成了一个专心于宽带隙（WBG）技能的“虚拟协同工厂”。这一立异形式使得两个出产基地可以同享技能和工艺，完成快速量产和平稳高效的运营。这种协同效果不只进步了产能，还促进了技能立异和工业晋级。

  英飞凌估计，经过菲拉赫与居林工厂的200毫米SiC改造项目，SiC事务的年营收有望到达约70亿欧元。公司还设定了到2030年占有全球30% SiC商场占有率的宏伟目标。

  在技能研制方面，英飞凌相同表现出色。2024年5月，公司推出了新一代400V碳化硅MOSFET系列，这是第二代（G2）CoolSiC™技能的晋级版。与商场上的650V SiC和Si MOSFET比较，该系列具有更低的传导和开关损耗。在AI服务器电源设备中，选用多级PFC技能，功率密度高达100W/in³以上，功率更是到达了99.5%，与650V SiC MOSFET解决方案比较，功率进步了0.3个百分点。这一技能打破为数据中心等范畴的动力高效使用供给了有力保证。

  世界轿车供货商Forvia Hella已挑选英飞凌的1200V轿车级SiC MOSFET作为其下一代800V DC/DC充电解决方案。英飞凌的CoolSiC MOSFET选用Q-DPAK封装，专为800V轿车架构中的车载充电器和DCDC使用而规划。此次协作不只有助于Forvia Hella打造更高效的充电解决方案，也进一步稳固了英飞凌在轿车SiC使用商场的领头羊。