江苏卓远获得碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT专利

  金融界2025年1月25日音讯，国家知识产权局信息数据显现，江苏卓远半导体有限公司获得一项名为“一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT”的专利，授权公告号CN 114530488 B，请求日期为2022年2月。

  天眼查资料显现，江苏卓远半导体有限公司，成立于2018年，坐落南通市，是一家以从事研讨和实验开展为主的企业。企业注册本钱2740.2862万人民币，实缴本钱923.0968万人民币。经过天眼查大数据剖析，江苏卓远半导体有限公司共对外出资了5家企业，参加招投标项目17次，知识产权方面有商标信息3条，专利信息90条，此外企业还具有行政许可15个。

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