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TCL环鑫半导体获得一种碳化硅超结 MOSFET 的制造的进程专利

发布时间:2025-01-02 14:34:41 发布作者: 球王会体育app官网
  

  

TCL环鑫半导体获得一种碳化硅超结 MOSFET 的制造方法专利

  金融界 2024 年 11 月 13 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,TCL 环鑫半导体(天津)有限公司获得一项名为“一种碳化硅超结 MOSFET 的制造的进程”的专利,授权公告号 CN 118629871 B,请求日期为 2024 年 8 月。

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